在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元，表示每个NAND芯片是32GB(256GB)…… 三星己经开始量产它的48层3DVNAND芯片（48...[查看详情]
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DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独...[查看详情]
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