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2016年下半3D NAND供应商上看4家 三星仍将具产能技术优势

文章来源: 香港友创电子有限公司人气:689发表时间:2016-07-06 17:13:54

DIGITIMES Research观察,2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者,然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash,三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变,不过,三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进,短期内仍将掌握产能与技术优势。 


  三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层、48层3D NAND Flash,2016年下半将量产64层3D NAND Flash,除大陆西安厂外,亦将韩国京畿道华城厂Fab 16朝3D NAND Flash转换,并规划华城厂Fab 17一部分空间用于增产3D NAND Flash,且其兴建中的京畿道平泽新厂将涵盖生产次世代3D NAND Flash,以建构3D NAND Flash三大生产据点。 


  2016年上半东芝已少量生产48层3D NAND Flash,待2016年第2季其位于日本三重县四日市工厂的第二栋厂房重建完毕,将朝正式量产迈进。为拉近落后于三星的距离,东芝与SanDisk阵营正检讨2016年下半量产64层3D NAND Flash的可能性。 


  至于美光/英特尔(Intel)阵营及SK海力士,2016年上半皆已有32层3D NAND Flash样品,2016年下半可能量产32层/48层3D NAND Flash。 


  DIGITIMES Research观察,三星已确立在大陆西安、韩国京畿道华城及平泽建构3D NAND Flash三大生产据点,其他存储器业者不仅3D NAND Flash产能难以与之抗衡,技术亦不易迎头赶上。 


  2016年下半存储器业者别3D NAND Flash量产规划 

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