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三星3D V NAND由32层到48层,不仅是垂直堆叠层数的增加

文章来源: 香港友创电子有限公司人气:992发表时间:2016-07-06 17:22:03

在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元,表示每个NAND芯片是32GB(256GB)…… 



  三星己经开始量产它的48层3DVNAND芯片(48层单元栅在一个NAND中串接在一起,称作第三代)应用在SSD中,如SSDT3(mSATA及850EVOV2),NVMeSSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)。 


  在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元,表示每个NAND芯片是32GB(256GB)。三星的32层(第二代)V-NAND芯片包括10.67GB(85.33GB)。它的第二代与第三代V-NAND有什么不同,不会仅是32层与48层数之间的差异。 


  TechInsights从单元结构,材料,布局及封装全面进行分析与比较,下面是其中的亮点: 


  存储器密度及芯片尺寸 


  图1表示16个48层V-NAND芯片与两个F-Chips封装在一个MCP(multichip package)中,32层V-NAND芯片面积是84.33平方毫米,而48层芯片为99.8平方毫米,如图2所示,表示它的长度更长,面积增加了17.3%。以单位面积的存储器密度计增加到每平方毫米2.57Gb。相比先进制程的2D NAND器件如东芝的15纳米是TLC NAND是1,28Gb/mm平方. 


  在管芯布局方面的关键不同如下;1),平面NAND存储器阵列的面积,2),位线开关和页缓冲区的面积,3),逻辑及外围电路的面积,及4),增加F芯片。每个管芯有两个区。NAND存储器阵列的面积由48.9平方毫米增加到68.7平方毫米,表示增大40.3%。位线开关电路面积与32层一样,页缓冲区的面积减少20%。逻辑及外围电路面积减少34.8%,换句话说三星大大缩小页缓冲电路与外围电路的面积,可以进一步增加存储器密度及提高管芯的效率。在MCP结构中16芯片堆叠,每个芯片的厚度己由132微米缩减至36微米。 

在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元,表示每个NAND芯片是32GB(256GB)…… 


  三星己经开始量产它的48层3DVNAND芯片(48层单元栅在一个NAND中串接在一起,称作第三代)应用在SSD中,如SSDT3(mSATA及850EVOV2),NVMeSSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)。 


  在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元,表示每个NAND芯片是32GB(256GB)。三星的32层(第二代)V-NAND芯片包括10.67GB(85.33GB)。它的第二代与第三代V-NAND有什么不同,不会仅是32层与48层数之间的差异。 


  TechInsights从单元结构,材料,布局及封装全面进行分析与比较,下面是其中的亮点: 


  存储器密度及芯片尺寸 


  图1表示16个48层V-NAND芯片与两个F-Chips封装在一个MCP(multichip package)中,32层V-NAND芯片面积是84.33平方毫米,而48层芯片为99.8平方毫米,如图2所示,表示它的长度更长,面积增加了17.3%。以单位面积的存储器密度计增加到每平方毫米2.57Gb。相比先进制程的2D NAND器件如东芝的15纳米是TLC NAND是1,28Gb/mm平方. 


  在管芯布局方面的关键不同如下;1),平面NAND存储器阵列的面积,2),位线开关和页缓冲区的面积,3),逻辑及外围电路的面积,及4),增加F芯片。每个管芯有两个区。NAND存储器阵列的面积由48.9平方毫米增加到68.7平方毫米,表示增大40.3%。位线开关电路面积与32层一样,页缓冲区的面积减少20%。逻辑及外围电路面积减少34.8%,换句话说三星大大缩小页缓冲电路与外围电路的面积,可以进一步增加存储器密度及提高管芯的效率。在MCP结构中16芯片堆叠,每个芯片的厚度己由132微米缩减至36微米。 



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